Компания Toshiba представила модуль с рекордным в индустрии объемом в 128 Гб, который может применяться в смартфонах, планшетах и иных портативных устройствах. Модуль состоит из 16 NAND-чипов, изготовленных на базе разработанного компанией 32-нм технологического процесса.
Представленные компанией модули энергонезависимой NAND-памяти обеспечивают скорость работы в режиме чтения информации до 55 Мб в секунду и до 21 Мб в секунду — в режиме записи. Как ожидается, первые образцы модуля памяти поступят в распоряжение производителей мобильных устройств уже осенью текущего года. По предварительным данным, появления на рынке первых устройств с новой памятью стоит ожидать не раньше 2011 года.
Стоит также отметить, что с выпуском нового модуля памяти компания Toshiba стала производителем полного ряда чипов памяти объемов от 2 до 128 ГБ.
